Уилям Шокли

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към: навигация, търсене
Уилям Шокли
William Shockley, Stanford University.jpg
Роден 13 февруари 1910
Лондон, Англия
Починал 12 август 1989
Станфорд, Калифорния, САЩ
Професия физик
Работил в Bell Labs, Shockley Semiconductor, Станфордски университет
Алма матер Калифорнийски технологичен институт, MIT
Награди Nobel prize medal.svg Нобелова награда за физика (1956)
Уилям Шокли в Общомедия
Nobel prize medal.svg

Уилям Шокли (на английски William Bradford Shockley) е американски физик, роден в Англия. Родителите му са американци и той израства в Калифорния. Известен е като един от изобретателите на транзистора, за което получава Нобеловата награда за физика през 1956. Той е възпитаник на Калифорнийския технологичен институт. Известно време работи във фирмата „Бел телефон“. От 1958 до края на живота си е професор в университета в Станфорд. Основните му трудове са в областта на физиката на твърдото тяло и по-специално полупроводници и феромагнетизъм.

Биография[редактиране | edit source]

Шокли се ражда в Лондон (Англия). През 1932 г. завършва Калифорнийския технологически институт, близо двадесет години (1936—1955) работи в лабораториите на фирма Bell Telephone Laboratories. След това е ръководител на лабораторията за полупроводници на фирмата «Бекман Инструментс Инкорпорейшън» (1955—1958), президент е на «Шокли Транзистор Корпорейшън» (1958—1960) и директор на «Шокли Транзистор» (1960—1963). По-късно Шокли става профессор в Станфорд (1963—1975).

Научна кариера[редактиране | edit source]

Шокли се явява автор на работи по Физика на твърдото тяло и физика на полупроводниците. Редица от тях са посветени на енергетическото състояние в твърдите тела и сплавите, теорията ан дислокацията и феромагнитизма. През 1948 г. той открива "ефекта на полето", предполага за важната роля на дефектите в кристалната структура като катализатори за процеса на Рекомбинация на зарядите в полупроводниците, експериментално наблюдава дупчестата проводимост, изследвал е ефектите на инжекцията на носители на заряд.

Шокли създава теорията за p-n-перехода, получава уравнението за плътността на пълния ток в него (уравнение на Шокли, 1949) и на тази основа предлага p-n-p-транзистора. През 1951 г. той предсказва явлението насищане в полупроводниците и разработва метод за определяне на ефективната маса носители на заряд. През 1956 г. "за изследване на полупроводниците и откриване на транзистория ефект" Шокли съвместно с Джон Бардийн и Уолтър Братейн е удостоен с Нобеловата награда за физика.

Външни препратки[редактиране | edit source]