CVD
от Уикипедия, свободната енциклопедия
CVD (на английски: Chemical Vapour Deposition) е технология за химическо отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на диелектрични тънки слоеве и поликристален силиций.
Приложение на диелектричните слоеве:
- Изолация между елементите
- Биполярни интегрални схеми
- Изолация между нивата на метализация
- Маска за локална дифузия (йонна имплантация)
- Пасивация (на полупроводниковата подложка) с цел защита на повърхността на приборите от замърсявания, влага и механични увреждания
- Изпълнява ролята на гейтов диелектрик в MOS приборите
- Si3N4 е бариера за алкалните примеси
Изисквания към отложените слоеве:
- Дебелината на слоя да е еднаква по цялата повърхност на пластината както и върху всички подложки от дадена партида
- Структурата и състава на слоевете да са контролируеми и възпроизводими
- Методът на нанасяне да е безопасен и да обезпечава възможност за автоматизация
Най-голямо приложение намират слоевете от силициев нитрид Si3N4 и силициев диоксид SiO2.