Иван Странски (физикохимик)
Тази статия е за българския физикохимик. За почвоведа вижте Иван Странски (почвовед).
| Иван Странски | |
| български физикохимик | |
 | |
| Роден | |
|---|---|
| Починал |
София, България |
| Погребан | Берлин, Федерална република Германия |
| Учил в | Софийски университет |
| Научна дейност | |
| Област | Физикохимия |
| Работил в | Технически университет – Берлин Свободен Университет Берлин Софийски университет |
| Иван Странски в Общомедия | |
Иван Николов Странски е български учен, основател на българската школа по физикохимия и считан за „баща“ на кристалния растеж.
Биография[редактиране | редактиране на кода]
Иван Странски е роден в София в семейството на Никола Странски, придворен аптекар, и Мария Странска (рождено име Корн, немкиня от Прибалтика). То е част от калоферския род Странски, чичо на Иван е революционерът и политик Георги Странски, а негов първи братовчед е почвоведът Иван Странски. От детска възраст страда от заболяването костна туберкулоза, нелечима по онова време.
Завършва средното си образование в Първа мъжка софийска гимназия. С идеята да се бори с болестта си, решава да следва медицина, но след една година следване във Виена, силно разочарован от възможностите на медицината, решава да прекъсне. През 1922 г. завършва висше образование в Софийския университет, специалност химия. Защитава докторска дисертация в Берлин при Паул Гюнтер върху рентгенова спектроскопия. През 1925 е избран за първия доцент в новооткритата Катедра по физикохимия към Физикоматематическия факултет на Софийския университет, и става първият преподавател по физикохимия в България. От 1929 г. е вече извънреден професор, а редовен – от 1937. В преподавателската си кариера води лекции по всички области на физикохимията, привлича в катедрата способни учени – Ростислав Каишев, Любомир Кръстанов и др. – заедно с които прави най-значителните си разработки. През 1930 е поканен в Берлинския технически университет (БТУ) като Рокфелеров стипендиант за съвместна работа с Макс Фолмер заедно с Каишев. В периода 1935 – 1936 с Каишев публикуват основоположните си трудове по теорията на средните отделителни работи. По-късно с Любомир Кръстанов предлагат механизма на растеж на кристал върху подложка от друг кристал.
По покана на Валтер Косел за съвместна работа в Бреслау, заминава за Германия през 1941. През войната участва в разработки, например, за предотвратяване на образуването на ледени кристали върху немските самолети. С приближаването на съветската армия към границите на Германия, Странски се завръща отново в Берлин, където работи в Кайзер Вилхелм институт за физикохимия и електрохимия. След капитулацията на немците Макс Фолмер е отведен насилствено в СССР и Странски заема неговото място като ръководител на Катедрата по физикохимия в БТУ в западен Берлин. Полуунищожен от бомбардировките, чрез усилията на Странски, БТУ е от малкото университети в Германия, открили учебна година още през 1945. В периода 1948 – 49 е декан на факултета по общи и инженерни науки, а след това ректор и заместник-ректор на БТУ. През 1953 става директор на Фриц Хабер институт (новото име на Кайзер Вилхелм институт), пост, който са заемали Макс фон Лауе и Алберт Айнщайн.
С идването на социалистическата власт в България Странски е обвинен във връзки с фашисткия режим и е уволнен от катедрата, която създава. Едва през 60-те години учениците му успяват да издействат той да бъде избран за чуждестранен член на БАН, и през 1967 г. Странски за първи път след войната се завръща в родината си.
Умира в България през 1979 г. Погребан е в Берлин.
Иван Странски е член е на научните академии в Гьотинген (1939), Бавария (1959), Ню Йорк, Шведската академия на науките. Хоноруван сенатор на БТУ на Западен Берлин (1962).
Памет[редактиране | редактиране на кода]
На Иван Странски е наречена улица в кварталите „Витоша“ и „Студентски град“ в София (Карта). Неговото име носят два научни института – Институтът по физика и химия към БТУ и Институтът по металургия в Оберхаузен. Носител на два ордена „Кирил и Методий“ и редица международни отличия.
Трудове[редактиране | редактиране на кода]
Иван Странски е един от основателите (заедно с Косел) на молекулно-кинетичната теория за формирането и растежа на кристалите. Въвежда за първи път понятието „положение на полукристал“. Заедно с Ростислав Каишев установяват връзката между формата, структурата и силите на междумолекулно взаимодействие в кристалите на базата на молекулна трактовка. Разработват метода на средните отделителни работи – молекулно-кинетичен метод, изиграл роля в развитието на теорията на зараждането и растежа на кристалите. Създават модела на Каишев и Странски за послойния растеж на кристалите, имат заслуги за изясняване на връзката между двумерното зародишообразуване и спиралния растеж на кристалите. С Любомир Кръстанов предлагат механизъм на растеж на един кристал върху подложка от друг. В Берлин работи в различни области от физикохимията, предимно теоретични разработки с непосредствено практическо приложение: триболуминисценция, топене, разлагане на уротропин, електронна емисия на кристални повърхности (тези му изследвания водят до създаването на автоемисионния микроскоп (FEM). Сериозно приложение имат теоретичните му работи в областта на металургията, с помощта на които рудодобивът в Западна Германия става значително по-ефективен и рационален.[1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13] Той е един от малкото български учени, номинирани и номиниращи за Нобелова награда.[14]
Библиография[редактиране | редактиране на кода]
- I. N. Stranski, Zur Theorie des Kristallwachstums, Z. physik, Chem., 136, 259 (1928)
- I. N. Stranski, D. Totomanow, Die Ostwald'sche Stufenregel, Naturwissenschaften, 20, 905 (1932)
- I. N. Stranski, L. Krastanov, Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander, Sitzungsber. d. Akad. d. Wissensch. Wien, Math.-naturw. Kl. Abt. IIb, 146, 797 (1938)
Източници[редактиране | редактиране на кода]
- ↑ Surface structures of ionic crystals // Архивиран от оригинала на 2018-12-07. Посетен на 2018-06-04.
- ↑ Surface structures of ionic crystals // Архивиран от оригинала на 2018-12-07. Посетен на 2018-06-04.
- ↑ Beiträge zur Röntgenspektralanalyse
- ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen: Vortrag, gehalten an der Chalmers Tekniska Högskola, Göteborg, am 16.6.1950
- ↑ Gedenkkolloquium anläßlich des ersten Todestages von Prof. Dr. phil., Dr. h. c. mult. Iwan N. Stranski: Berlin, 18. Juni 1980.
- ↑ On structure irregularity in the surface of ionic crystals
- ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. II: Single-crystal surfaces with absorbed foreign atoms
- ↑ Rastitelni otnošenija v Srědnitě Rodopi
- ↑ The electron emission of crystalline metal surfaces and its relation to the laws of crystal structure. I: pure single-crystal surfaces
- ↑ Die Vorgänge an Kristalloberflächen
- ↑ Technische Universität Berlin-Charlottenburg
- ↑ "Katalyse": Festrede, anlässlich der, Rektoratsübergabe an der Technischen Universität Berlin-Charlottenburg 1951
- ↑ Single-crystal surfaces with adsorbed foreign atoms
- ↑ Нобелов комитет. База данни за номинациите за Нобелова награда // old.nobelprize.org. Архивиран от оригинала на 2020-06-30.
- Първомайсторът на кристалния растеж, режисьор Стефан Стефанов
- Архив на Софийския университет
Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]
- Страница за Иван Странски в сайта на Берлинския технически университет
- Gutzov, Ivan S. In Memoriam: Prof.Dr. Ivan Stranski (1897 – 1979): one of the Founders of the Present-day Theory of Crystal Forms, Crystal Nucleation and Growth // Cryst. Res. Technol. 32 (6). 1997. с. 753 – 758. Посетен на 29 май 2018.
- In Memoriam
|
