МОП транзистор

Метал-оксид-полупроводниковият транзистор или МОП транзистор (наричан също MOS транзистор, на английски: metal oxide semiconductor transistor или MOSFET) е полеви транзистор с изолиран гейт.

Структура на МОП транзистор

При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При МОП транзистора управляващият електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой силициев диоксид. Има много голямо входно съпротивление, а действието му се основава на изменението на проводимостта на повърхностния слой под действието на електрическото поле. Терминът полеви транзистор метал-изолатор-полупроводник (MISFET) е почти синоним на MOSFET. Друг почти синоним е полеви транзистор с изолиран гейт (IGFET).

MOS транзисторите биват два вида – транзистори с индуциран канал и транзистори с вграден канал. Транзисторите с р-подложка не се използват заради малкото им бързодействие и ниска шумоустойчивост.

Основното предимство на МОП транзистора е, че той почти не изисква входен ток за управление на тока на товара при стационарни или нискочестотни условия, особено в сравнение с биполярните транзистори. Въпреки това, при високи честоти или при бързо превключване, МОП транзисторът може да изисква значителен ток за зареждане и разреждане на капацитета на гейта. В МОП транзистора с режим на подобрение напрежението, приложено към извода на гейта, увеличава проводимостта на устройството. В транзистори с режим на изчерпване, напрежението, приложено към гейта, намалява проводимостта.

Този вид транзистори са широко използвани в цифровата схемотехника. Способността им за промяна на проводимостта с приложеното напрежение може да се използва за усилване или превключване на електронни сигнали.