Разлика между версии на „P-n преход“

Направо към навигацията Направо към търсенето
13 байта изтрити ,  преди 12 години
редакция без резюме
м (Робот Промяна: en:P-n junction)
No edit summary
'''p-n-преход''' е област в [[полупроводник]], където [[дупчеста проводимост|p-проводимост]]та преминава в [[електронна проводимост|n-проводимост]]. Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников [[кристал]] или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при [[дифузия]]). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода - граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост.
При нормална температураgeishtina всички примесни нива са възбудени и концентрацияна на основните носители е съответно: P<sub>p</sub> на Р носителите в Р областта и n<sub>n</sub> на n носителите в n областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация P<sub>n</sub> и n<sub>p</sub> като тези носители са с пъти по-малко от основните.
Този градиент на концентрацията е причина за появата на два дифузионни потока: на P носители от Р към n областта и на n към Р. Резултатният дифузионен ток през P-n прехода е: I<sub>диф.</sub> = I<sub>диф.Р</sub>+I<sub>диф.n</sub>. Проникналите P носители в n областта се рекомбинират с електроните, поради което концентрацията на електроните в тази област намалява. Аналогично проникналите в P областта n носители рекомбинират с p носителите.
Анонимен потребител

Навигация