Разлика между версии на „P-n преход“

Поради наличието на по-голяма концентрация на дупки в Р слоя част от дупките чрез дифузия преминават в N слоя. В резултат отрицателните заряди на неподвижните акцепторни зонийони в близост до мястото на контакта остават некомпенсирани и образуват отрицателен обемен заряд. Преминалите в слоя непосредствено до прехода дупки рекомбинират с [[електрон]]и и част от положителния заряд на донорните [[йон]]и остава некомпенсиран - създава се положителен обемен заряд.