CVD: Разлика между версии

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Изтрито е съдържание Добавено е съдържание
Addbot (беседа | приноси)
м Робот: Преместване на 25 междуезикови препратки към Уикиданни, в d:q505668.
Редакция без резюме
Ред 1: Ред 1:
'''CVD''' ({{lang-en|Chemical Vapour Deposition}}) е [[технология]] за [[химия|химическо]] отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на [[диелектрик|диелектрични]] [[тънки слоеве]] и поликристален [[силиций]].
'''CVD''' ({{lang-en|Chemical Vapour Deposition}}) (химичното вакуумно отлагане) е [[технология]] за [[химия|химическо]] отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на [[диелектрик|диелектрични]] [[тънки слоеве]] и поликристален [[силиций]].


'''Приложение на диелектричните слоеве:'''
'''Приложение на диелектричните слоеве:'''

Версия от 08:44, 19 май 2017

CVD (Шаблон:Lang-en) (химичното вакуумно отлагане) е технология за химическо отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на диелектрични тънки слоеве и поликристален силиций.

Приложение на диелектричните слоеве:

  • Изолация между елементите
  • Биполярни интегрални схеми
  • Изолация между нивата на метализация
  • Маска за локална дифузия (йонна имплантация)
  • Пасивация (на полупроводниковата подложка) с цел защита на повърхността на приборите от замърсявания, влага и механични увреждания
  • Изпълнява ролята на гейтов диелектрик в MOS приборите
  • Si3N4 е бариера за алкалните примеси

Изисквания към отложените слоеве:

  • Дебелината на слоя да е еднаква по цялата повърхност на пластината както и върху всички подложки от дадена партида
  • Структурата и състава на слоевете да са контролируеми и възпроизводими
  • Методът на нанасяне да е безопасен и да обезпечава възможност за автоматизация

Най-голямо приложение намират слоевете от силициев нитрид Si3N4 и силициев диоксид SiO2.