MOS транзистор: Разлика между версии

Изтрито е съдържание Добавено е съдържание

Линейно

Версия от 11:23, 28 януари 2014

MOS транзистор от метал-оксид транзистор (Шаблон:Lang-en) е полеви транзистор с изолиран гейт. При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При MOS транзистора управляващия електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой силициев диоксид. Има много голямо входно съпротивление, а действието му се основава на изменението на проводимостта на повърхностния слой под действието на електрическото поле.

MOS транзисторите биват два вида – транзистор с индуциран канал и транзистор с вграден канал. Като транзисторите с р-подложка не се използват заради малкото им бързодействие и ниска шумоустойчивост.

Този вид транзистори са широко използвани за цифровата схемотехника.

Шаблон:Електроника-мъниче

@@ Ред 1: / Ред 1: @@
 [[File:MOSFET Structure.png|thumb|Структура на MOS транзистор]]
-'''MOS транзистор''' от метал-оксид транзистор({{lang-en|'''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor}}) е [[полеви транзистор]] с изолиран [[гейт]]. При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При MOS транзистора управляващия електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой [[силициев диоксид]]. Има много голямо [[входно съпротивление]], а действието му се основава на изменението на [[проводимост]]та на повърхностния слой под действието на [[електрическо поле|електрическото поле]].
+'''MOS транзистор''' от метал-оксид транзистор ({{lang-en|'''M'''etal '''O'''xide '''S'''emiconductor}}) е [[полеви транзистор]] с изолиран [[гейт]]. При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При MOS транзистора управляващия електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой [[силициев диоксид]]. Има много голямо [[входно съпротивление]], а действието му се основава на изменението на [[проводимост]]та на повърхностния слой под действието на [[електрическо поле|електрическото поле]].
 MOS транзисторите биват два вида – транзистор с индуциран канал и транзистор с вграден канал. Като транзисторите с р-подложка не се използват заради малкото им бързодействие и ниска шумоустойчивост.