MOS транзистор

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към: навигация, търсене
Структура на MOS транзистор

MOS транзистор (на английски: Metal Oxide Semiconductor - метал-оксид-полупроводник) е полеви транзистор с изолиран гейт. При полевия транзистор действието се основава на преместването на основните токоносители. При MOS транзистора управляващият електрод е изолиран от канала и от целия прибор с тънък слой силициев диоксид. Има много голямо входно съпротивление, а действието му се основава на изменението на проводимостта на повърхностния слой под действието на електрическото поле.

MOS транзисторите биват два вида – транзистори с индуциран канал и транзистори с вграден канал. Транзисторите с р-подложка не се използват заради малкото им бързодействие и ниска шумоустойчивост.

Този вид транзистори са широко използвани в цифровата схемотехника.