Мемристор
| Мемристор | |
 концептуална схема | |
| Вид | пасивен |
|---|---|
| Изобретен | Леон Чуа (Leon Chua), 1971 г. |
| Символично означение | |
 | |
| Мемристор в Общомедия | |
Мемристор (на английски: memristor) е електронен пасивен елемент, като названието му идва от комбинирането на „memory“-памет и „resistor“ – резистор). Неговото основно свойство е да изменя съпротивлението си в зависимост от протичащия през него електричен заряд. Тази зависимост е нелинейна и се проявява най-силно в наномащаби. Може да бъде разглеждан и като четвърти клас електронна схема сред основните пасивни елементи: резистор, кондензатор и индуктивен елемент.
История[редактиране | редактиране на кода]
Изследванията за създаване на елементи с подобно действие датират още от законите на Фарадей 1808.
Елементът е изобретен през 1971 от Леон Чуа (Leon Chua))[1]. В самото начало е използван само в няколко примерни схеми. По-късно елементът се използва в специални схеми, като чрез него се реализират различни комбинации между съпротивление, електрическо напрежение и електричен заряд.
През 2008 г. американската компания Hewlett-Packard създава лабораторен образец. Според заявления на фирмите Hynix и Hewlett-Packard, технологията вече е готова за производство на мемристори. Отначало се съобщава, че памети на базата на мемристори ще се появят през 2013 г.[2], но по-късно пускането им е отложено за 2014 г.[3][4]
Теория[редактиране | редактиране на кода]
Дефиниран е като нелинеен елемент и се определя връзката между магнитния поток и електричния заряд. Измервателните единици на елемента са мемристенз и се измерва (Wb/C, (вебер за кулон) или ом) с диференциално уравнение M = dΦm / dq. Принципната волт-амперна характеристика на елемента е деформиран хистерезис.
Видове мемристори[редактиране | редактиране на кода]
Молекулярна и йонна мемристорна система[редактиране | редактиране на кода]
- мемристори от титанов диоксид
- Полимерни мемристори
- Манганатни мемристорни системи
- Резонансно-тунелни мемристори
- Силициево-оксидни мемристори
Спин базиран и магнитна мемристорна система[редактиране | редактиране на кода]
- Спинтроник мемристори
Терминални мемристори[редактиране | редактиране на кода]
Приложение[редактиране | редактиране на кода]
Елементът може да се използва като материал за изработване на носители на информация (електрически сигнали) или компютърна памет.
Учените Massimiliano Di Ventra (Масимилияно Ди Вентра), Pershin(Першин) и Chua (Чуа) разработват елементите Мемкондензатор и Меминдуктор въз основа на мемристорната система.
Вижте също[редактиране | редактиране на кода]
Източници[редактиране | редактиране на кода]
- ↑ Chua, Leon O, "Memristor—The Missing Circuit Element", IEEE Transactions on Circuit Theory. 18.5 (1971): 507 – 519.
- ↑ HP, Hynix to launch memristor memory 2013 // EETimes, Peter Clarke, 2011-10-06
- ↑ Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти Архив на оригинала от 2017-05-18 в Wayback Machine. // IXBT, 28 септември 2012
- ↑ Memristors' one-year delay will hit IT in the wallet // ZDNet, 10 юли 2012