IGBT транзистор
IGBT транзистор или само IGBT (от английски: insulated-gate bipolar transistor) представлява полупроводниково устройство с три извода което се състои схемно от биполярен транзистор, управляван от полеви транзистор с изолиран гейт. Съчетава много висок входен импеданс на полевия транзистор с големите токове, които може да превключва биполярния транзистор.[1] Ползва се във всички съвременни електромобили и изобщо схеми с превключване на големи токове.
Източници
[редактиране | редактиране на кода]
Тази статия за електрическо устройство все още е мъниче. Помогнете на Уикипедия, като я редактирате и разширите.
|
