IGBT транзистор

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към навигацията Направо към търсенето
Напречен разрез на типичен IGBT, показващ вътрешна връзка на MOSFET с биполярния транзистор.

IGBT транзистор или само IGBT (от английски: Insulated Gate Bipolar Transistor) представлява полупроводниково устройство с три извода което се състои схемно от биполярен транзистор, управляван от полеви транзистор с изолиран гейт. Съчетава много висок входен импеданс на полевия транзистор с големите токове, които може да превключва биполярния транзистор.[1] Ползва се във всички съвременни електромобили и изобщо схеми с превключване на големи токове.

При работа като електронен ключ в усилвател клас D с използване на широчинно импулсна модулация се налага филтриране на изходящия сигнал с високочестотен филтър тъй като правоъгълния сигнал се явява съставен от нечетни хармонични при синтез на Фурие [2] [неблагонадежден източник].

Източници[редактиране | редактиране на кода]