Преглед на кода на Плазмено ецване

'''Плазмено ецване''' е вид [[ецване]] – процес, използван за отнемане (премахване) на материал от повърхността на основа (подложка, пластина), чрез използване на [[плазма]], създадена с кислород, аргон, тетрафлуорометан или други подходящи газове. Ецването е важен процес в [[планарна технология|планарната технология]] при създаването на структури с определен размер и разположение върху силициевата пластина, оформящи микроелектронните прибори и връзките между тях. Използва се при производство на [[интегрални схеми]]. По време на процеса при стайна температура в реактивна газова среда с помощта на [[тлеещ разряд]] се генерира химически активна плазма, която взаимодейства с гравирания материал така, че изложените на въздействието на плазмата участъци се изпаряват, а защитените остават непроменени. Прилича си с процеса на химическо ецване, при който за същата цел се използват течни химикали, но за разлика от него плазменото е вид „сухо ецване“ и притежава редица предимства, на което се дължи широкото му приложение в [[микроелектроника]]та за обработка на [[Подложка (електроника)|силициеви пластини]].<ref>{{Цитат уеб | заглавие = What is Plasma Etching and why it is Important for Product Development ? | фамилно_име = Osenga | първо_име = George | труд = thierry-corp.com | дата = | достъп_дата = 16 май 2023 | уеб_адрес = https://www.thierry-corp.com/plasma-treatment-articles/what-is-plasma-etching-and-why-it-is-important-for-product-development | език = en | цитат = }}</ref> От друга страна, при ниски налягания си прилича с процеса на [[разпрашване]] поради значителната роля на йонната бомбардировка. Затова според работното налягане и мястото на поставяне на пластините съществуват два основни вида плазмено ецване: [[Изотропност|изотропно]] и [[анизотропия|анизотропно]]. Изотропният процес протича при налягания, по-високи от 1 Torr и се използва за обемно отнемане на материал, като скоростта на ецване е еднаква във всички посоки. Анизотропният процес протича при по-ниски налягания 10 mtorr – 150 mtorr, подложките се поставят върху незаземения електрод и така се постига насочено отнемане на материала в дълбочина, като механизмът на действие е [[Синергия|синергистичният]] ефект между реактивните компоненти на плазмата и енергетичните йони. Този процес се нарича '''реактивно йонно ецване'''.<ref>{{cite book | title = Glow Discharge Processes: Sputtering and Plasma Etching | last = Chapman | first = Brian | authorlink = | coauthors = | editor = | editor-link = | year = 1980 | edition = | publisher = Wiley | location = | isbn = 978-0-471-07828-9 | doi = | pages = [https://archive.org/details/glowdischargepro0000chap/page/307 307] | url =https://archive.org/details/glowdischargepro0000chap| accessdate = 25 май 2023 | quote = | lang-hide = | lang = en }}</ref>

== Източници ==
<references />

{{мъниче|процес}}
{{нормативен контрол}}

[[Категория:Микроелектроника]]
[[Категория:Производствени процеси и операции]]
[[Категория:Плазмена физика]]