Мемристор

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към: навигация, търсене
Мемристор
Memristor.png
концептуална схема
Вид пасивен
Изобретен Леон Чуа (Leon Chua), 1971 г.
Символично означение
Memristor-Symbol.svg
Мемристор в Общомедия

Мемристор (на английски: memristor) е електронен пасивен елемент, като названието му идва от комбинирането на „memory“-памет и „resistor“ – резистор). Неговото основно свойство е да изменя съпротивлението си в зависимост от протичащия през него електричен заряд. Тази зависимост е нелинейна и се проявява най-силно в наномащаби. Може да бъде разглеждан и като четвърти клас електронна схема сред основните пасивни елементи: резистор, кондензатор и индуктивен елемент.

История[редактиране | редактиране на кода]

Изследванията за създаване на елементи с подобно действие датират още от законите на Фарадей 1808.

Елементът е изобретен през 1971 от Леон Чуа (Leon Chua))[1]. В самото начало е използван само в няколко примерни схеми. По-късно елементът се използва в специални схеми, като чрез него се реализират различни комбинации между съпротивление, електрическо напрежение и електричен заряд.

През 2008 г. американската компания Hewlett-Packard създава лабораторен образец. Според заявления на фирмите Hynix и Hewlett-Packard, технологията вече е готова за производство на мемристори. Отначало се съобщава, че памети на базата на мемристори ще се появят през 2013 г.[2], но по-късно пускането им е отложено за 2014 г.[3][4]

Теория[редактиране | редактиране на кода]

Дефиниран е като нелинеен елемент и се определя връзката между магнитния поток и електричния заряд. Измервателните единици на елемента са мемристенз и се измерва (Wb/C, (вебер за кулон) или ом) с диференциално уравнение M = dΦm / dq. Принципната волт-амперна характеристика на елемента е деформиран хистерезис.

Принципна волт-амперна характеристика

Видове мемристори[редактиране | редактиране на кода]

Молекулярна и йонна мемристорна система[редактиране | редактиране на кода]

  • мемристори от титанов диоксид
  • Полимерни мемристори
  • Манганатни мемристорни системи
  • Резонансно-тунелни мемристори
  • Силициево-оксидни мемристори

Спин базиран и магнитна мемристорна система[редактиране | редактиране на кода]

  • Спинтроник мемристори

Терминални мемристори[редактиране | редактиране на кода]

Приложение[редактиране | редактиране на кода]

Елементът може да се използва като материал за изработване на носители на информация (електрически сигнали) или компютърна памет.

Учените Massimiliano Di Ventra (Масимилияно Ди Вентра), Pershin(Першин) и Chua (Чуа) разработват елементите Мемкондензатор и Меминдуктор въз основа на мемристорната система.

Вижте също[редактиране | редактиране на кода]

Източници[редактиране | редактиране на кода]

Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]