CVD: Разлика между версии

Изтрито е съдържание Добавено е съдържание

Линейно

Версия от 12:03, 19 май 2017

CVD (Шаблон:Lang-en) (Химичното газово отлагане) е технология за химическо отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на диелектрични тънки слоеве и поликристален силиций.

Приложение на диелектричните слоеве:

Изолация между елементите
Биполярни интегрални схеми
Изолация между нивата на метализация
Маска за локална дифузия (йонна имплантация)
Пасивация (на полупроводниковата подложка) с цел защита на повърхността на приборите от замърсявания, влага и механични увреждания
Изпълнява ролята на гейтов диелектрик в MOS приборите
Si₃N₄ е бариера за алкалните примеси

Изисквания към отложените слоеве:

Дебелината на слоя да е еднаква по цялата повърхност на пластината както и върху всички подложки от дадена партида
Структурата и състава на слоевете да са контролируеми и възпроизводими
Методът на нанасяне да е безопасен и да обезпечава възможност за автоматизация

Най-голямо приложение намират слоевете от силициев нитрид Si₃N₄ и силициев диоксид SiO₂.

Употреба

Химичното газово отлагането (CVD)се използва за създаването на повърхностен слой по начин, който традиционните техники не позволяват. Методът е много полезен при отлагане на атомни слоеве, тъй като позволява създаването на изключително тънък слой от материала. Той намира различни приложения Тънки слоеве от галиев арсенид (ICs) намират приложение във фотоволтаични устройства.

Допълнителни материали

Jaeger, Richard C. Film Deposition // Introduction to Microelectronic Fabrication. 2nd. Upper Saddle River, Prentice Hall, 2002. ISBN 0-201-44494-1.
Smith, Donald. Thin-Film Deposition: Principles and Practice. MacGraw-Hill, 1995. ISBN 0-07-058502-4.
Dobkin and Zuraw. Principles of Chemical Vapor Deposition. Kluwer, 2003. ISBN 1-4020-1248-9.
K. Okada "Plasma-enhanced chemical vapor deposition of nanocrystalline diamond" Sci. Technol. Adv. Mater. 8 (2007) 624 free-download review
T. Liu, D. Raabe and S. Zaefferer "A 3D tomographic EBSD analysis of a CVD diamond thin film" Sci. Technol. Adv. Mater. 9 (2008) 035013 free-download
Christoph Wild "CVD Diamond Properties and Useful Formula" CVD Diamond Booklet (2008) PDF free-download
Dennis W. Hess, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF DIELECTRIC AND METAL FILMSfree-download from Electronic Materials and Processing: Proceedings of the First Electronic Materials and Processing Congress held in conjunction with the 1988 World Materials Congress Chicago, Illinois, USA, 24–30 September 1988, Edited by Prabjit Singh (Sponsored by the Electronic Materials and Processing Division of ASM INTERNATIONAL)

@@ Ред 1: / Ред 1: @@
-'''CVD''' ({{lang-en|Chemical Vapour Deposition}}) (химичното вакуумно отлагане) е [[технология]] за [[химия|химическо]] отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на [[диелектрик|диелектрични]] [[тънки слоеве]] и поликристален [[силиций]].
+'''CVD''' ({{lang-en|Chemical Vapour Deposition}}) (Химичното газово отлагане) е [[технология]] за [[химия|химическо]] отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на [[диелектрик|диелектрични]] [[тънки слоеве]] и поликристален [[силиций]].
 '''Приложение на диелектричните слоеве:'''
@@ Ред 18: / Ред 18: @@
 Най-голямо приложение намират слоевете от силициев нитрид Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> и [[силициев диоксид]] SiO<sub>2</sub>.
+== Употреба ==
+Химичното газово отлагането (CVD)се използва за създаването на повърхностен слой по начин, който традиционните техники не позволяват. Методът е много полезен при отлагане на атомни слоеве, тъй като позволява създаването на изключително тънък слой от материала. Той намира различни приложения Тънки слоеве от галиев арсенид (ICs) намират приложение във фотоволтаични устройства.
 == Допълнителни материали ==