CVD

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към: навигация, търсене

CVD (на английски: Chemical Vapour Deposition) (Химичното газово отлагане) е технология за химическо отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на диелектрични тънки слоеве и поликристален силиций.

Приложение на диелектричните слоеве:

  • Изолация между елементите
  • Биполярни интегрални схеми
  • Изолация между нивата на метализация
  • Маска за локална дифузия (йонна имплантация)
  • Пасивация (на полупроводниковата подложка) с цел защита на повърхността на приборите от замърсявания, влага и механични увреждания
  • Изпълнява ролята на гейтов диелектрик в MOS приборите
  • Si3N4 е бариера за алкалните примеси

Изисквания към отложените слоеве:

  • Дебелината на слоя да е еднаква по цялата повърхност на пластината както и върху всички подложки от дадена партида
  • Структурата и състава на слоевете да са контролируеми и възпроизводими
  • Методът на нанасяне да е безопасен и да обезпечава възможност за автоматизация

Най-голямо приложение намират слоевете от силициев нитрид Si3N4 и силициев диоксид SiO2.

Употреба[редактиране | редактиране на кода]

Химичното газово отлагането (CVD)се използва за създаването на повърхностен слой по начин, който традиционните техники не позволяват. Методът е много полезен при отлагане на атомни слоеве, тъй като позволява създаването на изключително тънък слой от материала. Той намира различни приложения Тънки слоеве от галиев арсенид (ICs) намират приложение във фотоволтаични устройства.

Допълнителни материали[редактиране | редактиране на кода]

  • Jaeger, Richard C.. Film Deposition. // Introduction to Microelectronic Fabrication. 2nd. Upper Saddle River, Prentice Hall, 2002. ISBN 0-201-44494-1.
  • Smith, Donald. Thin-Film Deposition: Principles and Practice. MacGraw-Hill, 1995. ISBN 0-07-058502-4.
  • Dobkin and Zuraw. Principles of Chemical Vapor Deposition. Kluwer, 2003. ISBN 1-4020-1248-9.
  • K. Okada "Plasma-enhanced chemical vapor deposition of nanocrystalline diamond" Sci. Technol. Adv. Mater. 8 (2007) 624 free-download review
  • T. Liu, D. Raabe and S. Zaefferer "A 3D tomographic EBSD analysis of a CVD diamond thin film" Sci. Technol. Adv. Mater. 9 (2008) 035013 free-download
  • Christoph Wild "CVD Diamond Properties and Useful Formula" CVD Diamond Booklet (2008) PDF free-download
  • Dennis W. Hess, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF DIELECTRIC AND METAL FILMSfree-download from Electronic Materials and Processing: Proceedings of the First Electronic Materials and Processing Congress held in conjunction with the 1988 World Materials Congress Chicago, Illinois, USA, 24–30 September 1988, Edited by Prabjit Singh (Sponsored by the Electronic Materials and Processing Division of ASM INTERNATIONAL)