CVD

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към навигацията Направо към търсенето

CVD (на английски: Chemical Vapor Deposition) (Химичното газово отлагане) е технология за химическо отлагане на материали в паро-газова среда при висока температура. Използва се за отлагане на диелектрични тънки слоеве и поликристален силиций.

Приложение на диелектричните слоеве:

  • Изолация между елементите
  • Биполярни интегрални схеми
  • Изолация между нивата на метализация
  • Маска за локална дифузия (йонна имплантация)
  • Пасивация (на полупроводниковата подложка) с цел защита на повърхността на приборите от замърсявания, влага и механични увреждания
  • Изпълнява ролята на гейтов диелектрик в MOS приборите
  • Si3N4 е бариера за алкалните примеси

Изисквания към отложените слоеве:

  • Дебелината на слоя да е еднаква по цялата повърхност на пластината както и върху всички подложки от дадена партида
  • Структурата и състава на слоевете да са контролируеми и възпроизводими
  • Методът на нанасяне да е безопасен и да обезпечава възможност за автоматизация

Най-голямо приложение намират слоевете от силициев нитрид Si3N4 и силициев диоксид SiO2.

Употреба[редактиране | редактиране на кода]

Химичното газово отлагането (CVD)се използва за създаването на повърхностен слой по начин, който традиционните техники не позволяват. Методът е много полезен при отлагане на атомни слоеве, тъй като позволява създаването на изключително тънък слой от материала. Той намира различни приложения Тънки слоеве от галиев арсенид (ICs) намират приложение във фотоволтаични устройства.

Допълнителни материали[редактиране | редактиране на кода]

     Портал „Химия“         Портал „Химия