Исаму Акасаки

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към навигацията Направо към търсенето
Исаму Акасаки
勇 赤崎
японски физик

Роден

Националност Флаг на Япония Япония
Образование Киотски университет
Научна дейност
Област Физика
Образование Университет на Киото
Университет на Нагоя
Известен с ярки сини LED
Награди Nobel prize medal.svg Нобелова награда за физика (2014)
JohnWHowellEdisonMedal1924.jpg IEEE Eдисонов медал (2011)
Исаму Акасаки в Общомедия

Исаму Акасаки (на японски: 勇 赤崎, роден на 30 януари 1929 г.) е японски учен, специализирал в областта на полупроводниковата технология. Той е лауреат на Нобелова награда за физика през 2014 г. за изобретяването на синия p-N светодиод с галиев нитрит (GaN) през 1989 г., а след това и на високояркостните сини LED светлини.[1][2][3][4][5]

За тези и други постижения на Исаму Акасаки е удостоен и с наградата Киото за напреднали технологии през 2009 г.[6] и с IEEE Едисоновия медал през 2011 година[7], а Нобеловата награда получава заедно с Хироши Амано и Шуджи Накамура,

за изобретяването на ефективни сини светодиоди, както и на ярки и енергоспестяващи бели източници на светлина.

Кариера[редактиране | редактиране на кода]

Исаму Акасаки

Роден в Кагошима, Акасаки завършва университета в Киото през 1952 и получава научна степен доктор на инженерните науки в областта на електрониката от Нагойския университет през 1964 година. Той започва да работи с GaN-базирани сини светодиоди в края на 1960-те години и стъпка по стъпка подобрява качеството и приложението на кристала галиев нитрит[8] в научноизследователски институт Мацушита в Токио. Там прави първото си нововъведение, използвайки металоорганична парнофазова епитаксия (MOVPE).

През 1981 Акасаки въвежда методите си в Нагойския университет, а през 1985 година, заедно с научноизследователската си група, постига успех в създаването на висококачествени GaN кристали на сапфирова основа с пионерската буферна технология с ниски температури.[9][10]

Този висококачествен GaN кристал им позволява да открият неговия p-тип след усилване с магнезий и последващо активиране с помощта на електронно облъчване (1989). Така е създаден първият GaN p-n преходен син/UV светодиод (1989), а освен това са постигнати контролируема проводимост на n-типа GaN (1990)[11] и подобните сплави (1991)[12] чрез усилване със силиций (Si). Това позволява използването хетероструктури и мулти-квантови ями в проектирането и конструирането на по-ефективни р-N преходни светодиоди.

Акасаки и сътрудниците му получават стимулирано излъчване при стайна температура през 1990 г.,[13] и разработват през 1995 г. стимулирано излъчване при 388 nm с импулс от висококачествени транзисторни устройства.[14] Те проверяват квантовия ефект (1991)[15] и Stark-ефекта (1997)[16] в нитритна среда и през 2000 г. показват теоретично ориентационната зависимост между пиезоелектричното поле и съществуването на неполярни или полуполярни кристали галиев нитрит[17]. Тези постижения лежат в основата на създаването на по-ефективни източници на светлина.

Институт Акасаки в Нагойския университет[редактиране | редактиране на кода]

Сградата на института

Патентите на професор Акасаки са произведени от тези изобретения и бързо намират широко пазарно приложение. Нагойският Университет основава Институт за Акасаки[18] на 20 октомври 2006. Стойността на строителството на шестетажния институт е покрита с патентни права. Освен като научен сектор, институтът разполага с галерия на LED светлината, показваща историята на изследванията, разработките и приложенията ѝ, а също така съдържа офис за междуинститутско сътрудничество в областта на научните изследвания.

Научна кариера[редактиране | редактиране на кода]

Проф. Акасаки и Сейджи Моримото в Швеция
Със Сюдзи Накамура и Хироши Амано пред Нобеловия комитет на 8 декември 2014 г.
  • 1952 – 1959 научен сътрудник в корпорация Кобе Когьо (днес Fujitsu Ltd.).
  • 1959 – 1964 научен сътрудник, асистент и доцент по електроника в университета в Нагоя.
  • 1964 – 1974 Ръководител на фундаменталните изследвания на лаборатория 4 на научноизследователски институт Мацмацушита в Токио.
  • 1974 – 1981 главен изпълнителен директор на отдела за полупроводници (в същия институт)
  • 1981 – 1992 професор по електроника в университета в Нагоя.
  • 1987 – 1990 Ръководител на проект „Изследване и разработване на GaN-сини светодиоди“, спонсориран от Японската агенция за наука и технологии.
  • 1992–до момента Почетен професор на Нагойския университет, професор в университета Мейджо.
  • 1993 – 1999 Ръководител на проект „Изследване и разработване на GaN-базирани полупроводникови лазерни диоди с ниска дължина на вълната“.
  • 1995 – 1996 Гост-професор в изследователски център за квантовата електроника в университета в Хокайдо.
  • 1996 – 2001 Ръководител на проекта за насърчаване на науката в японското общество
  • 1996 – 2004 Ръководител на проекта „Високотехнологичен научноизследователски център за нитритни полупроводници“ в университета Мейджо.
  • 2001–до момента научен сътрудник в научноизследователския център Акасаки към Нагойския университет.
  • Периода 2003 – 2006 г., председател на научноизследователска и развойна дейност в стратегическия комитет за безжични устройства, базирани на нитридни полупроводници.
  • 2004–до момента директор на Център за изследвания нитритни полупроводници в университета Мейджо.

Награди и бонуси[редактиране | редактиране на кода]

Научни и академични[редактиране | редактиране на кода]

  • 1989 Награда JACG
  • 1991 Чу-Ничи Културен Приз[19]
  • 1994 За технологични контрибуции, юбилеен медал
  • 1995 Златен медал „Хайнрих Велкер“
  • 1996 Награда за Инженерни постижения
  • 1998 Награда Инуе Харшиге 
  • 1998 Приз C&C[20]
  • 1998 Приз Лодиз[21]
  • 1998 Награда „Джак Мортън“[22]
  • 1998 Ранк Приз[23]
  • 1999 Сътудник (Fellow) на IEEE[24]
  • 1999 Медал „Гордън. И. Муур“[25]
  • 1999 Doctor Honoris Causa, II Университет на Монпелие 
  • 1999 Приз за наука и технологии „Торей“[26]
  • 2001 Приз Асахи [27]
  • 2001 Doctor Honoris Causa, Университет на Линкопинг
  • 2002 Награда за особени постижения
  • 2002 Приз Фуджихара
  • 2002 Награда Такеда[28]
  • 2003 Президентска награда (SCJ)[29]
  • 2003 Награда на SSDM 
  • 2004 Tокайска културна награда
  • 2004 Професура в Нагоя
  • 2006 Награда „Джон Бардийн“[30]
  • 2006 Награда за особени постижения
  • 2007 Награда за почетни житейски постижения, JSPS
  • 2008 Чуждестранен сътрудник, Национална инженерна академия на САЩ[31]
  • 2009 Награда Киото[32]
  • 2010 Пожизнен професор, Университет Мейджо
  • 2011 Едисонов медал
  • 2011 Специална награда за интелектуална собственост
  • 2011 Почетна награда за култура Минами-Нипон 
  • 2014 Нобелова награда за физика заедно с Хироши Амано и Шуджи Накамура
  • 2015 Приз „Чарлс Старк Дрейпър“ 

Национални[редактиране | редактиране на кода]

  • 1997 Медал с пурпурна лента от японското правителство[33]
  • 2002 Орден на Изгряващото Слънце, златни лъчи с панделка на шията от японското правителство[34]
  • 2004 Човек с културни заслуги от японското правителство
  • 2011 Орден на културата на японския император

Източници[редактиране | редактиране на кода]

  1. Japanese Journal of Applied Physics Архив на оригинала от 2012-07-22 в Wayback Machine..
  2. Japanese Journal of Applied Physics Архив на оригинала от 2012-04-18 в Wayback Machine.. jsap.jp
  3. Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki: P-Type Conduction in Mg-doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI), Jpn.
  4. I. Akasaki, H. Amano, M. Kito and K. Hiramatsu: Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED. J. Cryst.
  5. Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Kenji Itoh, Norikatsu Koide and Katsuhide Manabe: GaN-based UV/blue light emitting devices, Inst.
  6. INAMORI FOUNDATION Архив на оригинала от 2016-03-04 в Wayback Machine..
  7. IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients (PDF).
  8. Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode.
  9. H. Amano, N. Sawaki I. Akasaki and Y. Toyoda: Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer
  10. Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide, Kazumasa Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki: Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAl xN (0<x < = 0,4) films grown on sapphire substrate by MOVPE, J. Crystal Growth, Vol.98 (1989), pp.209-219
  11. H. Amano and I. Akasaki: „Fabrication and Properties of GaN p-n Junction LED“, Mater.
  12. Hiroshi Murakami, Tsunemori Asahi, Hiroshi Amano, Kazumasa Hiramatsu, Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki: „Growth of Si-doped AlxGa 1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy“, J. Crystal Growth, Vol.115 (1991), pp. 648 – 651.
  13. H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: „Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer“ Jpn.
  14. Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Shigetoshi Sota, Hiromitsu Sakai, Toshiyuki Tanaka and Masayoshi Koike: „Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device“ Jpn.
  15. K. Itoh, T. Kawamoto, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki: „Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures“ Jpn.
  16. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: „Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells“ Jpn.
  17. Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki: „Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells“, Jpn.
  18. www.nagoya-u.ac.jp Архивирано на 17 октомври 2012.
  19. "中日文化賞".
  20. "NEC: News Release 98/11/04-01".
  21. "International Organization for Crystal Growth".
  22. (PDF) www.ieee.org.
  23. [1] Архивирано на 13 декември 2012.
  24. www.ieee.org.
  25. "ECS SSS&T Award".
  26. "Toray Science and Technology Prize: List of Winners".
  27. The Asahi Shimbun Company.
  28. "Social/Economic Well-Being: Technical Achievement: The Development of Blue Light Emitting Semiconductor Devices – Development of the blue light emitting diode and laser diode is the final link in completing the light spectrum for semiconductor devices".
  29. "IAP – About IAP".
  30. "Recipient: 2006 John Bardeen Award".
  31. "NAE Website – Dr. Isamu Akasaki".
  32. "INAMORI FOUNDATION".
  33. Types of Medals. cao.go.jp.
  34. Orders of the Rising Sun.

Допълнителна литература[редактиране | редактиране на кода]

  • Insights & Enterprise in PHOTONICS SPECTRA, 54, November 2004 
  • Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 639 (2000), pages xxiii-xxv

Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]

Криейтив Комънс - Признание - Споделяне на споделеното Лиценз за свободна документация на ГНУ Тази страница частично или изцяло представлява превод на страницата „Isamu Akasaki“ в Уикипедия на английски. Оригиналният текст, както и този превод, са защитени от Лиценза „Криейтив Комънс - Признание - Споделяне на споделеното“, а за съдържание, създадено преди юни 2009 година — от Лиценза за свободна документация на ГНУ. Прегледайте историята на редакциите на оригиналната страница, както и на преводната страница. Вижте източниците на оригиналната статия, състоянието ѝ при превода и списъка на съавторите.