Боян Мутафчиев

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към навигацията Направо към търсенето
Боян Мутафчиев
български химик

Роден
6 юли 1932 г. (87 г.)

Националност Флаг на България България
Флаг на Франция Франция
Образование Софийски университет
Научна дейност
Област Химия, физикохимия, физика
Образование Софийски университет
Работил в Институт по физикохимия към БАН
CNRS, Франция
Семейство
Баща Петър Мутафчиев

Боян Мутафчиев[1] (6 юли 1932) е български физико-химик, работи във Франция, професор. Син е на Петър Мутафчиев и брат на Вера Мутафчиева.

Биография[редактиране | редактиране на кода]

Боян Мутафчиев завършва химия във Физико-математическия факултет на СУ през 1953 година[2]. През 1953 – 1963 е научен сътрудник в Института по физикохимия към БАН. Защитава кандидатска дисертация през 1961 година.[3]

Боян Мутафчиев като студент, 1950 година

Емигрира през 1963 във Франция, където работи предимно в областта на физиката (термодинамика на фазовите превръщания, структура и свойства на граничните повърхности и др.). Кариерата му във Франция протича в рамките на Националния център за научни изследвания (CNRS) в Нанси, Марсилия, и Париж. От 1963 до 1966 е научен сътрудник (на френски: chargé de recherche), от 1966 до 1974 – старши научен сътрудник (на френски: maître de recherche), от 1974 – професор (на френски: directeur de recherche). През 1966 – 1984 ръководи секция в института на CNRS „Centre de Recherche sur les Mécanismes de la Croissance Cristalline“ в Марсилия. От 1984 до 1991 е директор на Laboratoire de Recherches sur les Interactions Gaz-Solides (Laboratoire de CNRS "Maurice Letort") в Нанси. От 1992 работи в Лабораторията по минералогия и кристалография на Парижкия университет „Пиер и Мария Кюри“ (Париж-VI), където през 1997 година се пенсионира. Бил е гостуващ професор в университета на Кампинас, Бразилия (1975 – 1976), в университета „Джонс Хопкинс“, Балтимор (1980) и в университета на Токушима, Япония (1998 – 1999). През 1981 година е директор на Международната школа по кристалография „Interfacial Aspects of Phase Transformation“ (NATO Advanced Study Institute), проведена в Ериче, Сицилия. Той е редактор на сборника лекции от тази школа[4].

Боян Мутафчиев е секретар на Френската асоциация по кристален растеж[5] (1967 – 1972, 1982 – 1988) и неин президент от 1991 до 1994, като я представлява в Международната организация по кристален растеж[6] от основаването на последната през 1966 до 1972 и от 1977 до 1994.[7] Проф. Мутафчиев е председател на Комисията за изследвания в областта на микрогравитацията към Националния център по космически изследвания, (CNES), Париж (1980 – 1985) и участва в комисията „Materials in Space“ на Европейската космическа агенция (ЕSA). Член-кореспондент е на Европейската академия на науките и член на Американското дружество на физиците.

Научни трудове[редактиране | редактиране на кода]

Автор е на над 100 публикации в научни списания, на студии в сборници и на монографията „The Atomistic Nature of Crystal Growth“[8].

Приносът на Боян Мутафчиев в областта на фазовите превръщания и кристалния растеж е двоен – теоретичен и експериментален. Той засяга теорията на явления като образуването на кристални зародиши из газова фаза. Последователното прилагане на статистично-термодинамични методи води до едно '"изчистване" на основните уравнения за кинетиката на тези процеси от изкуствено въведени елементи (Frenkel distribution law, Lothe-Pound factors). Известен брой частни случаи на зародишообразуване (мехури в прегрети течности, кристализация на малки капки, зародиши върху чужди кондензационни ядра, влияние на адсорбцията) са също предмет на негови изследвания.

Граничната повърхност между една кристална стена и нейното обкръжение открива едно безкрайно разнообразие на свойства и процеси. Термичната „грапавост“ на кристалните стени е отговорна за механизма на кристалния растеж. Този механизъм може да се промени под действие на температурата, на пресищането, или на наличието на примеси. Адсорбцията и отлагането на нова фаза върху кристалната стена е стимулирано от термичната ѝ „грапавост“. Ко-адсорбцията на повече от един компонент дава нови перспективи на термодинамиката на двумерни фази.

Когато обкръжението на кристала е собствената му стопилка, термодинамичните свойства на граничната повърхност са силно повлияни от „омокрянето“ на кристалната стена от стопилката. Компютърна симулация с помощта на модели от твърди сфери показва, че стените с плътна двумерна опаковка са непълно омокряни от стопилката (Bernal liquid), резултат потвърден експериментално върху стената (0001) на кадмия (Cd) и стената (001) на NaCl. Този факт слага край на общоприетото твърдение, че термичната грапавост vis-à-vis на стопилката зависи от топлината на топене на кристала.

Прилагането на идеите за адсорбцията и двумерната кондензация върху органични молекули като алкиламините, се оказа плодотворно за разбирането на индустриалния процес на флотацията. То даде повод за дългогодишно сътрудничество с École Nationale Supérieure de Géologie (Нанси).

Голям брой експериментални работи на Боян Мутафчиев са свързани с метода на „златната декорация“ на повърхността на алкални халогениди. Така беше показано, че растежът на кристалите от стопилка става изключително чрез образуването на двумерни зародиши, евентуалните дислокации бивайки елиминирани при температурите близки до точката на топене.

Ранните експериментални работи на Боян Мутафчиев са в областта на електрохимията. Изследвайки електролитното образуване на живачни зародиши по двойния импулсен метод, той въвежда сферичен платинов монокристален катод, използван по-късно в други електрохимични лаборатории. Качественият резултат от тези работи е силното влияние на кристалографската ориентация на сферичната повърхност на електрода върху кинетиката на зародишообразуването.

Награди[редактиране | редактиране на кода]

Носител на званието доктор хонорис кауза по физикохимия и на Почетен знак със синя лента на Софийския университет „Св. Климент Охридски“ (1993)[9], той е също доктор хонорис кауза на БАН (2008)[10]. Удостоен е с Националния орден за заслуги на Френската република.

Източници[редактиране | редактиране на кода]

  1. Редакционен съвет на сп. Наука, Съюз на учените в България
  2. Юбилейна среща на химиците от випуск 1949 – 1953, сп. Химия, год. XII, кн. 6 (2003).
  3. Присъдени от ВАК научни степени и научни звания
  4. Interfacial Aspects of Phase Transformations. Proceedings of the NATO Advanced Study Institute held at Erice, Sicily, August 29 – September 9, 1981. B. Mutaftschiev, Ed., D. Reidel, Dordrecht 1982.
  5. Groupe français de croissance cristalline
  6. International Organization for Crystal Growth
  7. Executive Committee and General Assembly Meeting Reports of the International Organization for Crystal Growth
  8. B. Mutaftschiev. The Atomistic Nature of Crystal Growth (Springer Series in Materials Science). 2001
  9. Доктор хонорис кауза, СУ
  10. "Почетното звание „Доктор хонорис кауза“ в БАН се връчва от 1998 г. Едва 14 видни учени и общественици са носители на високото звание. Сред тях са проф. Живко Сталев, проф. Карл Джераси, проф. Жана Гълъбова, проф. Йохан Льон, проф. Еберхард Нойман, проф. Боян Мутафчиев.", сайт на БАН.