Лео Есаки
от Уикипедия, свободната енциклопедия
| Лео Есаки | |
| Роден | 12 март 1925 Осака, Япония |
|---|---|
| Професия | физик |
| Работил в | Токийския университет |
| Награди | |
Лео Есаки (на японски 江崎 玲於奈) е японски физик, носител на Нобелова награда по физика за 1973, за наблюдаване на тунелен преход в полупроводници и свръхпроводници.
Завършва Токийския университет през 1947, където и защитава докторска дисертация през 1959.
Наблюдава тунелен преход с електрони, като намира приложение на това явление в изобретения от него Диод на Есаки. По това време, той работи в компанията Токио Цушин Когио, позната днес като Сони. От 1960 работи в IBM, където публикува и първия си труд в областта на свръхрешетките от полупроводници.
Книги [редактиране]
- Large scale integrated circuits technology : state of the art and prospects : proceedings of the NATO Advanced Study Institute on "Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects," Erice, Italy, July 15-27, 1981 / edited by Leo Esaki and Giovanni Soncini(1982)
- Highlights in condensed matter physics and future prospects / edited by Leo Esaki(1991)
Външни препратки [редактиране]
- Информация на страницата за Нобелови лауреати
- Информация от IBM
- История на откритието на диода Есаки на страниците на Сони
|
||||||||||||||||||||