Лео Есаки

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Лео Есаки
江崎 玲於奈
японски физик
Роден
12 март 1925 г. (98 г.)
префектура Осака, Япония

Националност Япония
Учил вТокийски университет
Киотски университет
Научна дейност
ОбластФизика
Работил вСони
IBM
Награди Нобелова награда за физика (1973)
Лео Есаки в Общомедия

Лео Есаки (на японски: 江崎 玲於奈) е японски физик, носител на Нобелова награда за физика за 1973 г. за наблюдаването на тунелен преход в полупроводници и свръхпроводници.

Биография[редактиране | редактиране на кода]

Роден е на 12 март 1925 година в префектура Осака, Япония. Завършва Токийския университет през 1947 г., където и защитава докторска дисертация през 1959 г.

Наблюдава тунелен преход с електрони, като намира приложение на това явление в изобретения от него Диод на Есаки. По това време, той работи в компанията Токио Цушин Когио, позната днес като Сони. От 1960 г. работи в IBM, където публикува и първия си труд в областта на свръхрешетките от полупроводници.

Книги[редактиране | редактиране на кода]

  • Large scale integrated circuits technology: state of the art and prospects: proceedings of the NATO Advanced Study Institute on „Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects“, Erice, Italy, July 15 – 27, 1981 / edited by Leo Esaki and Giovanni Soncini (1982)
  • Highlights in condensed matter physics and future prospects / edited by Leo Esaki (1991)

Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]