Уилям Шокли
| Уилям Шокли William Bradford Shockley |
|
|---|---|
| американски физик | |
Уилям Шокли през 1975 г.
|
|
|
|
|
| Роден |
13 февруари 1910 г.
|
| Починал | |
| Националност |  САЩ |
| Научна дейност | |
| Област | Физика |
| Образование | Калифорнийски технологичен институт MIT |
| Работил в | Bell Labs Shockley Semiconductor Станфордски университет |
| Известен с | изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект |
| Награди |  Нобелова награда за физика (1956) |
| Уилям Шокли в Общомедия | |
Уилям Шокли (на английски: William Bradford Shockley) е американски физик, носител на Нобелова награда за физика за 1956 година. Известен е като един от изобретателите на транзистора. Основните му трудове са в областта на физиката на твърдото тяло и по-специално полупроводници и феромагнетизъм.
Биография[редактиране | редактиране на кода]
Роден е на 13 февруари 1910 година в Лондон, Англия. Родителите му са американци и той израства в Калифорния. През 1932 г. завършва Калифорнийския технологичен институт. Близо двадесет години (1936 – 1955) работи в лабораториите на фирма Bell Telephone Laboratories. След това е ръководител на лабораторията за полупроводници на фирмата „Бекман Инструментс Инкорпорейшън“ (1955 – 1958), президент е на „Шокли Транзистор Корпорейшън“ (1958 – 1960) и директор на „Шокли Транзистор“ (1960 – 1963). По-късно Шокли става професор в университета в Станфорд (1963 – 1975).
Умира на 12 август 1989 година в Станфорд на 79-годишна възраст.
Научна дейност[редактиране | редактиране на кода]
Шокли се явява автор на работи по физика на твърдото тяло и физика на полупроводниците. Редица от тях са посветени на енергетическото състояние в твърдите тела и сплавите, теорията на дислокацията и феромагнитизма.
През 1948 г. той открива „ефекта на полето“. Предполага за важната роля на дефектите в кристалната структура като катализатори за процеса на рекомбинация на зарядите в полупроводниците. Експериментално наблюдава дупчестата проводимост, изследва и ефектите на инжекцията на носители на заряд.
Шокли създава теорията за p-n-перехода, като получава уравнението за плътността на пълния ток в него (уравнение на Шокли, 1949) и на тази основа предлага p-n-p-транзистора.
През 1951 г. той предсказва явлението насищане в полупроводниците и разработва метод за определяне на ефективната маса носители на заряд. През 1956 г., „за изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект“, Шокли, съвместно с Джон Бардийн и Уолтър Братейн, е удостоен с Нобеловата награда за физика.
Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]
|
||||||||||||||||||||
|
