Уилям Шокли

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към: навигация, търсене
Уилям Шокли
американски физик
Уилям Шокли през 1975 г.
Уилям Шокли през 1975 г.

Роден
Починал
12 август 1989 г. (79 г.)
Научна дейност
Област Физика
Образование Калифорнийски технологичен институт, MIT
Работил в Bell Labs, Shockley Semiconductor, Станфордски университет
Награди Nobel prize medal.svg Нобелова награда за физика (1956)
Уилям Шокли в Общомедия
Nobel prize medal.svg

Уилям Шокли (на английски William Bradford Shockley) е американски физик, роден в Англия. Родителите му са американци и той израства в Калифорния. Известен е като един от изобретателите на транзистора, за което получава Нобеловата награда за физика през 1956. Той е възпитаник на Калифорнийския технологичен институт. Известно време работи във фирмата „Бел телефон“. От 1958 до края на живота си е професор в университета в Станфорд. Основните му трудове са в областта на физиката на твърдото тяло и по-специално полупроводници и феромагнетизъм.

Биография[редактиране | редактиране на кода]

Шокли се ражда в Лондон (Англия). През 1932 г. завършва Калифорнийския технологически институт, близо двадесет години (1936—1955) работи в лабораториите на фирма Bell Telephone Laboratories. След това е ръководител на лабораторията за полупроводници на фирмата «Бекман Инструментс Инкорпорейшън» (1955—1958), президент е на «Шокли Транзистор Корпорейшън» (1958—1960) и директор на «Шокли Транзистор» (1960—1963). По-късно Шокли става профессор в Станфорд (1963—1975).

Научна кариера[редактиране | редактиране на кода]

Шокли се явява автор на работи по Физика на твърдото тяло и физика на полупроводниците. Редица от тях са посветени на енергетическото състояние в твърдите тела и сплавите, теорията ан дислокацията и феромагнитизма. През 1948 г. той открива "ефекта на полето", предполага за важната роля на дефектите в кристалната структура като катализатори за процеса на Рекомбинация на зарядите в полупроводниците, експериментално наблюдава дупчестата проводимост, изследвал е ефектите на инжекцията на носители на заряд.

Шокли създава теорията за p-n-перехода, получава уравнението за плътността на пълния ток в него (уравнение на Шокли, 1949) и на тази основа предлага p-n-p-транзистора. През 1951 г. той предсказва явлението насищане в полупроводниците и разработва метод за определяне на ефективната маса носители на заряд. През 1956 г. "за изследване на полупроводниците и откриване на транзистория ефект" Шокли съвместно с Джон Бардийн и Уолтър Братейн е удостоен с Нобеловата награда за физика.

Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]