Уилям Шокли

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Уилям Шокли
William Bradford Shockley
американски физик
Уилям Шокли през 1975 г.
Уилям Шокли през 1975 г.

Роден
Починал
12 август 1989 г. (79 г.)
ПогребанПало Алто, САЩ

Религияатеизъм
НационалностFlag of the United States.svg САЩ
Учил вКалифорнийски технологичен институт
Масачузетски технологичен институт
НаградиНобелова награда за физика (1956)[1][2]
Научна дейност
ОбластФизика
Работил вBell Labs
Shockley Semiconductor
Станфордски университет
Известен сизследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект
НаградиNobel prize medal.svg Нобелова награда за физика (1956)
Уилям Шокли в Общомедия

Уилям Шокли (на английски: William Bradford Shockley) е американски физик, носител на Нобелова награда за физика за 1956 година. Известен е като един от изобретателите на транзистора. Основните му трудове са в областта на физиката на твърдото тяло и по-специално полупроводниците и феромагнетизма.

Биография[редактиране | редактиране на кода]

Роден е на 13 февруари 1910 година в Лондон, Англия. Родителите му са американци и той израства в Калифорния. През 1932 г. завършва Калифорнийския технологичен институт. Близо двадесет години (1936 – 1955) работи в лабораториите на фирма Bell Telephone Laboratories. След това е ръководител на лабораторията за полупроводници на фирмата „Бекман Инструментс Инкорпорейшън“ (1955 – 1958), президент е на „Шокли Транзистор Корпорейшън“ (1958 – 1960) и директор на „Шокли Транзистор“ (1960 – 1963). По-късно Шокли става професор в университета в Станфорд (1963 – 1975).

Умира на 12 август 1989 година в Станфорд на 79-годишна възраст.

Научна дейност[редактиране | редактиране на кода]

Шокли е автор на работи по физика на твърдото тяло и физика на полупроводниците. Редица от тях са посветени на енергетическото състояние в твърдите тела и сплавите, теорията на дислокацията и феромагнитизма.

През 1948 г. той открива „ефекта на полето“. Предполага за важната роля на дефектите в кристалната структура като катализатори за процеса на рекомбинация на зарядите в полупроводниците. Експериментално наблюдава дупчестата проводимост, изследва и ефектите на инжекцията на носители на заряд.

Шокли създава теорията за p-n прехода, като получава уравнението за плътността на пълния ток в него (уравнение на Шокли, 1949) и на тази основа предлага p-n-p транзистора.

През 1951 г. той предсказва явлението насищане в полупроводниците и разработва метод за определяне на ефективната маса носители на заряд. През 1956 г., „за изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект“, Шокли, съвместно с Джон Бардийн и Уолтър Братейн, е удостоен с Нобеловата награда за физика.

Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]

  1. а б The Nobel Prize in Physics 1956. // Посетен на 3 февруари 2021 г.. (на английски)
  2. а б Table showing prize amounts. // април 2019 г.. Посетен на 3 февруари 2021 г.. (на английски)