Уилям Шокли

Уилям Шокли William Bradford Shockley
американски физик
Уилям Шокли през 1975 г.
Роден	13 февруари 1910 г. Лондон, Англия
Починал	12 август 1989 г. Станфорд, Калифорния, САЩ
Погребан	Пало Алто, Съединени американски щати
Националност	САЩ
Религия	атеизъм
Образование	Калифорнийски технологичен институт Масачузетски технологичен институт
Научна дейност
Област	Физика
Образование	Калифорнийски технологичен институт MIT
Работил в	Bell Labs Shockley Semiconductor Станфордски университет
Известен с	изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект
Награди	Нобелова награда за физика (1956)
Уилям Шокли в Общомедия

Уилям Шокли (на английски: William Bradford Shockley) е американски физик, носител на Нобелова награда за физика за 1956 година. Известен е като един от изобретателите на транзистора. Основните му трудове са в областта на физиката на твърдото тяло и по-специално полупроводници и феромагнетизъм.

Биография

Роден е на 13 февруари 1910 година в Лондон, Англия. Родителите му са американци и той израства в Калифорния. През 1932 г. завършва Калифорнийския технологичен институт. Близо двадесет години (1936 – 1955) работи в лабораториите на фирма Bell Telephone Laboratories. След това е ръководител на лабораторията за полупроводници на фирмата „Бекман Инструментс Инкорпорейшън“ (1955 – 1958), президент е на „Шокли Транзистор Корпорейшън“ (1958 – 1960) и директор на „Шокли Транзистор“ (1960 – 1963). По-късно Шокли става професор в университета в Станфорд (1963 – 1975).

Умира на 12 август 1989 година в Станфорд на 79-годишна възраст.

Научна дейност

Шокли е автор на работи по физика на твърдото тяло и физика на полупроводниците. Редица от тях са посветени на енергетическото състояние в твърдите тела и сплавите, теорията на дислокацията и феромагнитизма.

През 1948 г. той открива „ефекта на полето“. Предполага за важната роля на дефектите в кристалната структура като катализатори за процеса на рекомбинация на зарядите в полупроводниците. Експериментално наблюдава дупчестата проводимост, изследва и ефектите на инжекцията на носители на заряд.

Шокли създава теорията за p-n-перехода, като получава уравнението за плътността на пълния ток в него (уравнение на Шокли, 1949) и на тази основа предлага p-n-p-транзистора.

През 1951 г. той предсказва явлението насищане в полупроводниците и разработва метод за определяне на ефективната маса носители на заряд. През 1956 г., „за изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект“, Шокли, съвместно с Джон Бардийн и Уолтър Братейн, е удостоен с Нобеловата награда за физика.

Външни препратки

• „Транзисторът на 50 години“ (превод на статията „Транзистору – 50“, публикувана оригинално в сп. „Знание-Сила“, юли 1998), сайт на Института за ядрени изследвания и ядрена енергетика на Българската академия на науките
• ((en)) National Academy of Sciences biography: Alphabetical listing of 441 available Biographical Memoirs
• ((en)) Биография на Уилям Шокли на сайта на Нобеловите награди