Уилям Шокли
Уилям Шокли William Bradford Shockley |
|
---|---|
американски физик | |
![]() Уилям Шокли през 1975 г. |
|
|
|
Роден | |
Починал | |
Погребан | Пало Алто, Съединени американски щати |
|
|
Националност |
![]() |
Религия | атеизъм |
Образование |
Калифорнийски технологичен институт Масачузетски технологичен институт |
Научна дейност | |
Област | Физика |
Образование |
Калифорнийски технологичен институт MIT |
Работил в |
Bell Labs Shockley Semiconductor Станфордски университет |
Известен с | изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект |
Награди | Нобелова награда за физика (1956) |
Уилям Шокли в Общомедия |
Уилям Шокли (на английски: William Bradford Shockley) е американски физик, носител на Нобелова награда за физика за 1956 година. Известен е като един от изобретателите на транзистора. Основните му трудове са в областта на физиката на твърдото тяло и по-специално полупроводници и феромагнетизъм.
Биография[редактиране | редактиране на кода]
Роден е на 13 февруари 1910 година в Лондон, Англия. Родителите му са американци и той израства в Калифорния. През 1932 г. завършва Калифорнийския технологичен институт. Близо двадесет години (1936 – 1955) работи в лабораториите на фирма Bell Telephone Laboratories. След това е ръководител на лабораторията за полупроводници на фирмата „Бекман Инструментс Инкорпорейшън“ (1955 – 1958), президент е на „Шокли Транзистор Корпорейшън“ (1958 – 1960) и директор на „Шокли Транзистор“ (1960 – 1963). По-късно Шокли става професор в университета в Станфорд (1963 – 1975).
Умира на 12 август 1989 година в Станфорд на 79-годишна възраст.
Научна дейност[редактиране | редактиране на кода]
Шокли е автор на работи по физика на твърдото тяло и физика на полупроводниците. Редица от тях са посветени на енергетическото състояние в твърдите тела и сплавите, теорията на дислокацията и феромагнитизма.
През 1948 г. той открива „ефекта на полето“. Предполага за важната роля на дефектите в кристалната структура като катализатори за процеса на рекомбинация на зарядите в полупроводниците. Експериментално наблюдава дупчестата проводимост, изследва и ефектите на инжекцията на носители на заряд.
Шокли създава теорията за p-n-перехода, като получава уравнението за плътността на пълния ток в него (уравнение на Шокли, 1949) и на тази основа предлага p-n-p-транзистора.
През 1951 г. той предсказва явлението насищане в полупроводниците и разработва метод за определяне на ефективната маса носители на заряд. През 1956 г., „за изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект“, Шокли, съвместно с Джон Бардийн и Уолтър Братейн, е удостоен с Нобеловата награда за физика.
Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]
- „Транзисторът на 50 години“ (превод на статията „Транзистору – 50“, публикувана оригинално в сп. „Знание-Сила“, юли 1998), сайт на Института за ядрени изследвания и ядрена енергетика на Българската академия на науките
- ((en)) National Academy of Sciences biography: Alphabetical listing of 441 available Biographical Memoirs
- ((en)) Биография на Уилям Шокли на сайта на Нобеловите награди
|
|
- Американски физици
- Американски изобретатели
- Калифорнийски технологичен институт
- Масачузетски технологичен институт
- Станфордски университет
- Учени от Лаборатории „Бел“
- Членове и член-кореспонденти на Националната академия на науките на САЩ
- Носители на Нобелова награда за физика
- Американци носители на Нобелова награда
- Американски атеисти
- Американци в Англия
- Родени в Лондон