Уилям Шокли

от Уикипедия, свободната енциклопедия
Направо към: навигация, търсене
Уилям Шокли
William Bradford Shockley
американски физик
Уилям Шокли през 1975 г.
Уилям Шокли през 1975 г.

Роден
Починал
12 август 1989 г. (79 г.)
Националност Флаг на САЩ САЩ
Научна дейност
Област Физика
Образование Калифорнийски технологичен институт
MIT
Работил в Bell Labs
Shockley Semiconductor
Станфордски университет
Известен с изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект
Награди Nobel prize medal.svg Нобелова награда за физика (1956)
Уилям Шокли в Общомедия
Nobel prize medal.svg

Уилям Шокли (на английски: William Bradford Shockley) е американски физик, носител на Нобелова награда за физика за 1956 година. Известен е като един от изобретателите на транзистора. Основните му трудове са в областта на физиката на твърдото тяло и по-специално полупроводници и феромагнетизъм.

Биография[редактиране | редактиране на кода]

Роден е на 13 февруари 1910 година в Лондон, Англия. Родителите му са американци и той израства в Калифорния. През 1932 г. завършва Калифорнийския технологичен институт. Близо двадесет години (1936 – 1955) работи в лабораториите на фирма Bell Telephone Laboratories. След това е ръководител на лабораторията за полупроводници на фирмата «Бекман Инструментс Инкорпорейшън» (1955 – 1958), президент е на «Шокли Транзистор Корпорейшън» (1958 – 1960) и директор на «Шокли Транзистор» (1960 – 1963). По-късно Шокли става професор в университета в Станфорд (1963 – 1975).

Умира на 12 август 1989 година в Станфорд на 79-годишна възраст.

Научна дейност[редактиране | редактиране на кода]

Шокли се явява автор на работи по физика на твърдото тяло и физика на полупроводниците. Редица от тях са посветени на енергетическото състояние в твърдите тела и сплавите, теорията на дислокацията и феромагнитизма.

През 1948 г. той открива „ефекта на полето“. Предполага за важната роля на дефектите в кристалната структура като катализатори за процеса на рекомбинация на зарядите в полупроводниците. Експериментално наблюдава дупчестата проводимост, изследва и ефектите на инжекцията на носители на заряд.

Шокли създава теорията за p-n-перехода, като получава уравнението за плътността на пълния ток в него (уравнение на Шокли, 1949) и на тази основа предлага p-n-p-транзистора.

През 1951 г. той предсказва явлението насищане в полупроводниците и разработва метод за определяне на ефективната маса носители на заряд. През 1956 г., „за изследване на полупроводниците и откриване на транзисторния ефект“, Шокли, съвместно с Джон Бардийн и Уолтър Братейн, е удостоен с Нобеловата награда за физика.

Външни препратки[редактиране | редактиране на кода]